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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD86102
FDD86102 PDF预览

FDD86102

更新时间： 2024-01-23 02:18:30
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 396K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 36 A, 24 mΩ

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FDD86102 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.96
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：84 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.0225 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：54 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD86102 数据手册

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March 2012  
FDD86102  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100 V, 36 A, 24 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
„ Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = 10 V, ID = 8 A  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has  
„ Max rDS(on) = 38 mΩ at VGS = 6 V, ID = 6 A  
been optimized for rDS(on), switching performance and  
ruggedness.  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
„ High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package  
Application  
„ DC - DC Conversion  
„ Very low Qg and Qgd compared to competing trench  
technologies  
„ Fast switching speed  
„ 100% UIL tested  
„ RoHS Compliant  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
100  
V
V
±20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
36  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
8
40  
A
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
121  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
62  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.0  
40  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
Quantity  
FDD86102  
FDD86102  
D-PAK(TO-252)  
12 mm  
2500 units  
1
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD86102 Rev.C5  
www.fairchildsemi.com  
123456

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FDD86102 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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