是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DPAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.8 |
雪崩能效等级(Eas): | 72 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A | 最大漏极电流 (ID): | 50 A |
最大漏源导通电阻: | 0.005 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 65 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 360 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQD12P10TM_F085 | FAIRCHILD |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
FDD86102 | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 36 A, 2 | |
FDD86102 | ONSEMI |
功能相似 |
N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,36 A,24 m |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD05-12D | CHINFA |
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Power Supply Module | |
FDD05-12D0 | CHINFA |
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DC - DC CONVERTER 5 ~ 6W 5V INPUT MODEL | |
FDD05-12D1 | CHINFA |
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Power Supply Module | |
FDD05-12D2 | CHINFA |
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Power Supply Module | |
FDD05-12D3 | CHINFA |
获取价格 |
Power Supply Module | |
FDD05-12D4 | CHINFA |
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DC - AC CONCERTER 5~6W SINGLE & DUAL OUTPUT | |
FDD05-12D5 | CHINFA |
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Power Supply Module | |
FDD05-12S | CHINFA |
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Power Supply Module | |
FDD05-12S0 | CHINFA |
获取价格 |
DC - DC CONVERTER 5 ~ 6W 5V INPUT MODEL | |
FDD05-12S1 | CHINFA |
获取价格 |
Power Supply Module |