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STD40NF10

更新时间: 2024-02-14 00:57:50
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 376K
描述
N-channel 100V - 0.025Ω - 50A TO-220 / DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

STD40NF10 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.68Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):385 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.028 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD40NF10 数据手册

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STD40NF10  
STP40NF10  
N-channel 100V - 0.025- 50A TO-220 / DPAK  
Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on) Max  
ID  
STD40NF10  
STP40NF10  
100V  
100V  
<0.028Ω  
<0.028Ω  
50A  
50A  
3
Exceptional dv/dt capability  
Low gate charge  
3
1
2
1
DPAK  
TO-220  
100% avalanche tested  
Application  
Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "single feature size"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps allowing remarkable  
manufacturing reproducibility.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
TO-220  
DPAK  
Packaging  
STP40NF10  
STD40NF10  
P40NF10  
D40NF10  
Tube  
Tape & reel  
September 2007  
Rev 4  
1/15  
www.st.com  
15  

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