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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 88 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 65 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD8453LZ_F085_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 50A, 6.5 |
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| FDD8453LZ-F085 | ONSEMI |
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40 V、50 A、5.0 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® |
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| FDD850N10L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm |
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| FDD850N10L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ |
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| FDD850N10LD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.3A I(D), 100V, 0.096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| FDD850N10LD | ONSEMI |
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BoostPak（N 沟道，PowerTrench® MOSFET + 二极管），100 |
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| FDD8580 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm |
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| FDD8586 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM |
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| FDD8586 | ROCHESTER |
获取价格 |
35A, 20V, 0.0055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| FDD8586 | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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