5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.18 | 雪崩能效等级（Eas）： | 245 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 55 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6680S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDD6682 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6682_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDD6685 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6685 | ONSEMI |
获取价格 |
30V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-40A，20mΩ |
|
| FDD6685 | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| FDD6685_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V P-Channel PowerTrenchà MOSFET |
|
| FDD6685_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDD6688 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6688 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，30V，84A，5mΩ |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
