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FDD6676S

更新时间： 2024-09-30 22:40:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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6页 121K
描述
30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD6676S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：78 A最大漏极电流 (ID)：78 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6676S 数据手册

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December 2002  
FDD6676S  
30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
The FDS6676S is designed to replace  
a DPAK  
·
78 A, 30 V  
RDS(ON) = 6.0 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 7.1 mW @ VGS = 4.5 V  
MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
RDS(ON) and low gate charge. The FDD6676S includes  
an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology.  
·
·
·
Low gate charge  
Fast Switching  
Applications  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
DC/DC converter  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±16  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
100  
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
70  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.1  
1.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.8  
40  
96  
RqJC  
RqJA  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
12mm  
Quantity  
FDD6676S  
FDD6676S  
13’’  
2500 units  
FDD6676S Rev D (W)  
Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDD6676S 替代型号

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