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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD6670A
FDD6670A PDF预览

FDD6670A

更新时间： 2024-01-21 02:12:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 197K
描述
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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FDD6670A 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：245 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：64 A最大漏极电流 (ID)：64 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6670A 数据手册

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February 2000  
FDD6670A  
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel Logic level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process  
that has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for superior  
switching performance.  
• 66 A, 30 V. RDS(on) = 0.008 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(on) = 0.010 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge (35nC typical).  
• Fast switching speed.  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(on)  
.
• DC/DC converter  
• Motor drives  
D
D
G
G
S
S
TO-252  
TC=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
20  
V
A
±
(Note 1)  
Maximum Drain Current -Continuous  
66  
TA = 25oC  
Maximum Drain Current -Pulsed  
Maximum Power Dissipation  
TC = 25oC  
15  
100  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
70  
W
TA = 25oC  
TA = 25oC  
3.2  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.8  
40  
96  
C/W  
C/W  
C/W  
θJC  
°
°
°
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD6670A  
FDD6670A  
13’’  
16mm  
2500  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD6670A, Rev. C  
12345678

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FDD6670A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD6670S FAIRCHILD

类似代替

 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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STD60N3LH5 STMICROELECTRONICS

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 N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO

与FDD6670A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD6670A_05 FAIRCHILD

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