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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.87 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 67 A | 最大漏极电流 (ID)： | 67 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6644S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD6670 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
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| FDD6670A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
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| FDD6670A | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FDD6670A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，66A，8mΩ |
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| FDD6670A | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| FDD6670A_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD6670A_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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| FDD6670A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDD6670AL | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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