FDD6644S

更新时间： 2024-09-16 13:07:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
6页	87K
描述
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FDD6644S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	237 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	66 A
最大漏极电流 (ID)：	66 A	最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	57 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD6644S 数据手册

April 2001

FDD6644/FDU6644

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

low gate charge, low R_DS(ON)and fast switching speed.

• 67 A, 30 V.

R_DS(ON)= 8.5 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 10.5 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• Low gate charge (25 nC typical)

• DC/DC converter

• High power and current handling capability

I-PAK

(TO-251AA)

D-PAK

TO-252

(TO-252)

G D S

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

±16

I_D

(Note 1a)

100

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1)

(Note 1a)

(Note 1b)

3.8

1.6

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1)

2.2

R_θJC

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1b)

R_θJA

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

FDD6644

FDU6644

Package

Reel Size

13’’

Tape width

Quantity

FDD6644

D-PAK (TO-252)

I-PAK (TO-251)

12mm

N/A

2500 units

FDU6644

Tube

FDD/FDU6644 Rev C(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6

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与FDD6644S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDD6670	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDD6670A	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDD6670A	ROCHESTER	获取价格	15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FDD6670A	ONSEMI	获取价格	N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，66A，8mΩ
FDD6670A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDD6670A_05	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6670A_NL	ROCHESTER	获取价格	15A, 30V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
FDD6670A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDD6670AL	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6670AL_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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