5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD6635
FDD6635 PDF预览

FDD6635

更新时间： 2024-11-17 22:40:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
35V N-Channel PowerTrench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDD6635 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：113 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：35 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：59 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6635 数据手册

 浏览型号FDD6635的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD6635的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD6635的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD6635的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD6635的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDD6635的Datasheet PDF文件第7页 
September 2005  
FDD6635  
35V N-Channel PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been produced using  
Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench  
technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss  
capability to offer superior performance benefit in the  
applications.  
• 59 A, 35 V  
RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• Fast Switching  
• RoHS compliant  
Applications  
• Inverter  
• Power Supplies  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
35  
V
V
V
A
VDS(Avalanche)  
VGSS  
Drain-Source Avalanche Voltage (maximum) (Note 4)  
Gate-Source Voltage  
40  
±20  
ID  
Continuous Drain Current @TC=25°C  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
59  
@TA=25°C  
Pulsed  
15  
100  
PD  
W
Power Dissipation  
@TC=25°C  
@TA=25°C  
@TA=25°C  
55  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.8  
1.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.7  
40  
96  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD6635  
FDD6635  
D-PAK (TO-252)  
13’’  
12mm  
2500 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
www.fairchildsemi.com  
FDD6635 Rev. C(W)  
12345678

中文翻译

下载PDF

FDD6635 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD6635 ONSEMI

功能相似

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V，59A，10mΩ

与FDD6635相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD6637 FAIRCHILD

获取价格

 		35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V，-55A，11.6mΩ
FDD6637 UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDD6637_06 FAIRCHILD

获取价格

 		35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637_10 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench® MOSFET -35V, -21A, 18
FDD6637_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDD6637-F085 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-35V，-21A，18mΩ
FDD6644 FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6644S FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDD6670 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

与FDD6635相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证