是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | DPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.25 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 90 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 30 A |
最大漏极电流 (ID): | 9.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 36 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDD6630A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET | |
FDD6630A | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,21A,35mΩ | |
FDD6630A_11 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrenchà MOSFET | |
FDD6632 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power M | |
FDD6632_04 | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level UltraFET㈢ Trench Power | |
FDD6635 | FAIRCHILD |
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35V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDD6635 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,35V,59A,10mΩ | |
FDD6637 | FAIRCHILD |
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35V P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDD6637 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,35V,-55A,11.6mΩ | |
FDD6637 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C |