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FDD6632

更新时间： 2024-11-17 22:40:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
11页	236K
描述
N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFET 30V, 9A, 90mз

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FDD6632 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD6632 数据手册

June 2002

FDD6632

N-Channel Logic Level UltraFET^®Trench Power MOSFET

30V, 9A, 90mΩ

General Description

Features

This device employs a new advanced trench MOSFET

technology and features low gate charge while maintaining

low on-resistance.

•

Fast switching

_DS(ON)= 0.058Ω (Typ), V_GS= 10V, I_D= 9A

_DS(ON)= 0.090Ω (Typ), V_GS= 4.5V, I_D= 6A

Optimized for switching applications, this device improves

the overall efficiency of DC/DC converters and allows

operation to higher switching frequencies.

_g(TOT)(Typ) = 2.6nC, V_GS= 5V

_gd(Typ) = 0.8nC

Formerly developmental type 83317

_ISS(Typ) = 255pF

Applications

•

DC/DC converters

D-PAK

TO-252

(TO-252)

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

±20

Continuous (T_C= 25^oC, V_GS= 10V)

Continuous (T_C= 100^oC, V_GS= 4.5V)

Continuous (T_C= 25^oC, V_GS= 10V, R_θJA= 52^oC/W)

Pulsed

I_D

Figure 4

Power dissipation

P_D

Derate above 25^oC

0.1

W/^oC

^oC

T_J, T_STG

Operating and Storage Temperature

-55 to 175

Thermal Characteristics

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance Junction to Case TO-252

100

^oC/W

Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252

Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in²copper pad area

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

Quantity

FDD6632

TO-252AA

330mm

16mm

2500 units

FDD6632 Rev. B

12 3 4 5 6 7...11

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FDD6632 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTD23N03RT4G	ONSEMI	功能相似	23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK
NTD23N03RT4	ONSEMI	功能相似	23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK
STD17NF03LT4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET

与FDD6632相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDD6632_04	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level UltraFET㈢ Trench Power
FDD6635	FAIRCHILD	获取价格	35V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6635	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V，59A，10mΩ
FDD6637	FAIRCHILD	获取价格	35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V，-55A，11.6mΩ
FDD6637	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDD6637_06	FAIRCHILD	获取价格	35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637_10	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET -35V, -21A, 18
FDD6637_F085	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDD6637-F085	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-35V，-21A，18mΩ

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