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NTD23N03RT4

更新时间： 2024-11-01 22:44:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK

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NTD23N03RT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369AA-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.8 A最大漏极电流 (ID)：3.8 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：22.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD23N03RT4 数据手册

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NTD23N03R  
Power MOSFET  
23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available  
• Planar HD3e Process for Fast Switching Performance  
V
R
TYP  
I MAX  
D
• Low R  
to Minimize Conduction Loss  
(BR)DSS  
DS(on)  
DS(on)  
• Low C to Minimize Driver Loss  
25 V  
32 mW  
23 A  
iss  
• Low Gate Charge  
• Optimized for High Side Switching Requirements in  
N−CHANNEL  
D
High−Efficiency DC−DC Converters  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
V
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
GS  
±20  
MARKING  
DIAGRAMS  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
P
5.6  
22.3  
°C/W  
W
q
JC  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
D
Drain Current  
4
− Continuous @ T = 25°C, Chip  
− Continuous @ T = 25°C,  
I
I
23  
17.1  
A
A
C
D
Drain  
C
D
Limited by Package  
− Single Pulse  
4
DPAK  
CASE 369AA  
(Surface Mounted)  
STYLE 2  
I
40  
76  
A
DM  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1)  
R
°C/W  
q
JA  
2
1
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
P
1.64  
4.5  
W
A
A
D
I
A
D
2
1
Gate  
3
Drain  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 2)  
R
110  
°C/W  
q
JA  
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
I
1.14  
3.8  
W
A
A
D
4
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
A
D
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
4
DPAK−3  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
L
260  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1
2
3
1
2
3
Gate Drain Source  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using minimum recommended pad  
size.  
T23N03  
A
Y
= Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 4  
NTD23N03R/D  
 
12345678

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NTD23N03RT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD23N03RT4G ONSEMI

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 		暂无描述
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