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FDD6630A PDF预览

FDD6630A

更新时间： 2024-11-17 22:40:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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5页 148K
描述
N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

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FDD6630A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：55 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6630A 数据手册

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July 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDD6630A  
N-Channel PowerTrenchTM MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel Logic level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
the on-state resistance and yet maintain low gate  
charge for superior switching performance.  
• 21 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge.  
• Fast switching speed.  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• DC/DC converter  
• Motor drives  
low RDS(ON)  
.
D
D
G
G
S
TO-252  
S
TC=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Maximum Drain Current -Continuous  
(Note 1)  
21  
7.6  
(Note 1a)  
Maximum Drain Current -Pulsed  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25oC  
TA = 25oC  
100  
PD  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
28  
W
3.2  
TA = 25oC  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to- Case  
(Note 1)  
4.5  
40  
96  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to- Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDD6630A  
FDD6630A  
13’’  
16mm  
2500  
FDD6630A Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDD6630A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR7807ZPBF INFINEON

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