5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDD6630A
FDD6630A PDF预览

FDD6630A

更新时间： 2024-09-15 22:40:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDD6630A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
雪崩能效等级（Eas）：55 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD6630A 数据手册

 浏览型号FDD6630A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD6630A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD6630A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD6630A的Datasheet PDF文件第5页 
July 1999  
ADVANCE INFORMATION  
FDD6630A  
N-Channel PowerTrenchTM MOSFET  
Features  
General Description  
This N-Channel Logic level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
the on-state resistance and yet maintain low gate  
charge for superior switching performance.  
• 21 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.050 Ω @ VGS = 4.5 V.  
• Low gate charge.  
• Fast switching speed.  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
• DC/DC converter  
• Motor drives  
low RDS(ON)  
.
D
D
G
G
S
TO-252  
S
TC=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
30  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Maximum Drain Current -Continuous  
(Note 1)  
21  
7.6  
(Note 1a)  
Maximum Drain Current -Pulsed  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25oC  
TA = 25oC  
100  
PD  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
28  
W
3.2  
TA = 25oC  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to- Case  
(Note 1)  
4.5  
40  
96  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to- Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
RθJA  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDD6630A  
FDD6630A  
13’’  
16mm  
2500  
FDD6630A Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

FDD6630A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR7807ZPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET
STD17NF03LT4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET

与FDD6630A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD6630A_11 FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrenchÒ MOSFET
FDD6632 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power M
FDD6632_04 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level UltraFET㈢ Trench Power
FDD6635 FAIRCHILD

获取价格

 		35V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6635 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V，59A，10mΩ
FDD6637 FAIRCHILD

获取价格

 		35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V，-55A，11.6mΩ
FDD6637 UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDD6637_06 FAIRCHILD

获取价格

 		35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637_10 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench® MOSFET -35V, -21A, 18

与FDD6630A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证