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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 71 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD6612 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET |
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| FDD6612A | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDD6612A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，30A，20mΩ |
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| FDD6612A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDD6630A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
|
| FDD6630A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，21A，35mΩ |
|
| FDD6630A_11 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrenchà MOSFET |
|
| FDD6632 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power M |
|
| FDD6632_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level UltraFET㈢ Trench Power |
|
| FDD6635 | FAIRCHILD |
获取价格 |
35V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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