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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF75831SK8T
HUF75831SK8T PDF预览

HUF75831SK8T

更新时间： 2024-09-15 22:10:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 250K
描述
3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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HUF75831SK8T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：MS-012AA, 8 PIN
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.19Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75831SK8T 数据手册

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HUF75831SK8  
Data Sheet  
December 2001  
3A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC MS-012AA  
Features  
BRANDING DASH  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.095Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
• Simulation Models  
5
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
1
2
3
4
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
Ordering Information  
SOURCE (1)  
SOURCE (2)  
SOURCE (3)  
GATE (4)  
DRAIN (8)  
DRAIN (7)  
DRAIN (6)  
DRAIN (5)  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
75831SK8  
HUF75831SK8  
MS-012AA  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75831SK8T.  
o
Absolute Maximum Ratings T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
A
HUF75831SK8  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
150  
150  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
A
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
3
2
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
A
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
2.5  
20  
W
mW/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 150  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Tech Brief TB370 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
o
o
1. T = 25 C to 125 C.  
J
o
2
2
2. 50 C/W measured using FR-4 board with 0.76 in (490.3 mm ) copper pad at 10 second.  
o
2
2
3. 152 C/W measured using FR-4 board with 0.054 in (34.8 mm ) copper pad at 1000 seconds  
o
2
2
4. 189 C/W measured using FR-4 board with 0.0115 in (7.42 mm ) copper pad at 1000 seconds  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75831SK8 Rev. B  
1234567...11

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HUF75831SK8T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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