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HUF75829D3ST

更新时间： 2024-09-25 21:19:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 122K
描述
18A, 150V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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HUF75829D3ST 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.11 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF75829D3ST 数据手册

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HUF75829D3, HUF75829D3S  
Data Sheet  
February 2000  
File Number 4795.1  
18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel,  
UltraFET Power MOSFET  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-251AA  
JEDEC TO-252AA  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.110Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
• Simulation Models  
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
®
©
- Temperature Compensated PSPICE and SABER  
Electrical Models  
©
GATE  
SOURCE  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
DRAIN  
(FLANGE)  
- www.intersil.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
HUF75829D3S  
HUF75829D3  
Ordering Information  
Symbol  
D
S
PART NUMBER  
HUF75829D3  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
75829D  
75829D  
HUF75829D3S  
G
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75829D3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75829D3, HUF75829D3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
150  
150  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
18  
13  
A
A
C
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
110  
0.73  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Follow proper ESD Handling Procedures.  
1
UltraFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
SABER© is a Copyright of Analogy Inc. 1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 2000.  
1234567...9

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