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HUF75842P3_NL

更新时间： 2024-11-06 20:07:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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HUF75842P3_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：43 A
最大漏极电流 (ID)：43 A最大漏源导通电阻：0.042 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75842P3_NL 数据手册

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HUF75842P3, HUF75842S3S  
Data Sheet  
December 2001  
43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFET  
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
Features  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.042Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
GATE  
• Simulation Models  
SOURCE  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
DRAIN  
(FLANGE)  
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
HUF75842P3  
HUF75842S3S  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF75842P3  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
BRAND  
75842P  
75842S  
G
HUF75842S3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75842S3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75842P3  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
150  
150  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
43  
30  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
230  
1.53  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75842P3, HUF75842S3S Rev. B  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75842S3S FAIRCHILD

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 		43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75842S3S INTERSIL

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 		43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75842S3S_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
HUF75842S3ST ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-263AB
HUF75852G3 FAIRCHILD

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 		75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75852G3 INTERSIL

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 		75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75852G3 ONSEMI

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 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，150V，75A，16mΩ
HUF75925D3ST FAIRCHILD

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 		11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75925P3 FAIRCHILD

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 		11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75939P3 FAIRCHILD

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 		22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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