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HUF75645S3S

更新时间： 2024-09-24 22:37:07
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
9页 333K
描述
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

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HUF75645S3S 数据手册

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HUF75645P3, HUF75645S3S  
Data Sheet  
July 1999  
File Number 4722.1  
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET  
Power MOSFETs  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.014Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
• Simulation Models  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
®
©
- Temperature Compensated PSPICE and SABER  
Electrical Models  
- Spice and Saber Thermal Impedance Models  
- www.semi.intersil.com  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
(FLANGE)  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
HUF75645P3  
HUF75645S3S  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
HUF75645P3  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
BRAND  
75645P  
75645S  
D
S
HUF75645S3S  
G
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75645S3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75645P3, HUF75645S3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
75  
65  
A
A
C
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Figures 6, 14, 15  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
310  
2.07  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
1
UltraFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
©
SABER is a Copyright of Analogy Inc. 1-888-INTERSIL or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999.  
1234567...9

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HUF75645S3S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，75A，14mΩ
HUF75645S3ST_NL FAIRCHILD

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75645S3S_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，75A，14mΩ
HUF75645S3ST_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
HUF75652G3 FAIRCHILD

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 		75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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 		75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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 		14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
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