5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF75645S3S_NL
HUF75645S3S_NL PDF预览

HUF75645S3S_NL

更新时间： 2024-11-13 13:08:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 205K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB,

阅读下载

中文翻译

获取价格

HUF75645S3S_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.15外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.014 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75645S3S_NL 数据手册

 浏览型号HUF75645S3S_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HUF75645S3S_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HUF75645S3S_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HUF75645S3S_NL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HUF75645S3S_NL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HUF75645S3S_NL的Datasheet PDF文件第7页 
HUF75645P3, HUF75645S3S  
Data Sheet  
December 2001  
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel,  
UltraFET® Power MOSFETs  
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
JEDEC TO-263AB  
Features  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.014Ω, VGS = 10V  
DS(ON)  
GATE  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
SOURCE  
DRAIN  
- Spice and Saber Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
(FLANGE)  
HUF75645P3  
HUF75645S3S  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
Symbol  
D
S
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF75645P3  
PACKAGE  
TO-220AB  
TO-263AB  
BRAND  
75645P  
75645S  
G
HUF75645S3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T  
to obtain the variant in tape and reel, e.g., HUF75645S3ST.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75645P3, HUF75645S3S  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
±20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
C
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
75  
65  
A
A
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UIS  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Figures 6, 14, 15  
310  
2.07  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absol24ute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75645P3, HUF75645S3S Rev. B  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与HUF75645S3S_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75645S3ST ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，75A，14mΩ
HUF75645S3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
HUF75652G3 FAIRCHILD

获取价格

 		75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
HUF75652G3 INTERSIL

获取价格

 		75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
HUF75652G3 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，UltraFET® 功率 MOSFET，100V，75A，8mΩ
HUF75652G3_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
HUF75823D3 FAIRCHILD

获取价格

 		14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75823D3 INTERSIL

获取价格

 		14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75823D3S INTERSIL

获取价格

 		14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75823D3S FAIRCHILD

获取价格

 		14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

与HUF75645S3S_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证