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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.15 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 56 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF75639P3_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| HUF75639P3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| HUF75639P3-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ |
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| HUF75639S3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639S3 | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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| HUF75639S3 | ONSEMI |
获取价格 |
100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET |
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| HUF75639S3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| HUF75639S3_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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| HUF75639S3R4851 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
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| HUF75639S3R4851 | INTERSIL |
获取价格 |
56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
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