5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> HUF75639S3S
HUF75639S3S PDF预览

HUF75639S3S

更新时间： 2024-11-07 22:26:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 229K
描述
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

HUF75639S3S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.2外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A最大漏极电流 (ID)：56 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

HUF75639S3S 数据手册

 浏览型号HUF75639S3S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HUF75639S3S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HUF75639S3S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HUF75639S3S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HUF75639S3S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HUF75639S3S的Datasheet PDF文件第7页 
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S,  
HUF75639S3  
Data Sheet  
December 2001  
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel  
UltraFET Power MOSFETs  
Features  
• 56A, 100V  
These N-Channel power MOSFETs  
are manufactured using the  
innovative UltraFET® process. This  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Electrical Models  
advanced process technology  
- Spice and Saber Thermal Impedance Models  
- www.fairchildsemi.com  
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,  
resulting in outstanding performance. This device is capable  
of withstanding high energy in the avalanche mode and the  
diode exhibits very low reverse recovery time and stored  
charge. It was designed for use in applications where power  
efficiency is important, such as switching regulators,  
switching converters, motor drivers, relay drivers, low-  
voltage bus switches, and power management in portable  
and battery-operated products.  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Symbol  
Formerly developmental type TA75639.  
D
Ordering Information  
PART NUMBER  
HUF75639G3  
HUF75639P3  
PACKAGE  
BRAND  
75639G  
G
TO-247  
TO-220AB  
TO-263AB  
TO-262AA  
75639P  
75639S  
75639S  
S
HUF75639S3S  
HUF75639S3  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g., HUF75639S3ST.  
Packaging  
JEDEC STYLE TO-247  
JEDEC TO-220AB  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(TAB)  
JEDEC TO-263AB  
TO-262AA  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
GATE  
(FLANGE)  
SOURCE  
DRAIN  
(TAB)  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Rev. B  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

HUF75639S3S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUF75639S3ST FAIRCHILD

类似代替

 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
IRFB59N10DPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET Power MOSFET

与HUF75639S3S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75639S3S_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
HUF75639S3ST FAIRCHILD

获取价格

 		56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
HUF75639S3ST ROCHESTER

获取价格

 		56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
HUF75639S3ST ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ
HUF75639S3ST_NL ROCHESTER

获取价格

 		56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
HUF75639S3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
HUF75645P3 FAIRCHILD

获取价格

 		75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75645P3 INTERSIL

获取价格

 		75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75645P3 ROCHESTER

获取价格

 		75A, 100V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
HUF75645P3 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，UltraFET Power MOSFET，100V，75A，14mΩ

与HUF75639S3S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证