5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.15 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 56 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF75639S3R4851 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
|
| HUF75639S3R4851 | INTERSIL |
获取价格 |
56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
|
| HUF75639S3S | INTERSIL |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
|
| HUF75639S3S | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
|
| HUF75639S3S | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| HUF75639S3S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| HUF75639S3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
|
| HUF75639S3ST | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| HUF75639S3ST | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ |
|
| HUF75639S3ST_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
