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HUF75639P3

更新时间： 2024-09-26 11:13:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 843K
描述
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ

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HUF75639P3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.71外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：56 A最大漏极电流 (ID)：56 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF75639P3 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Power, N-Channel,  
Ultrafet  
100 V, 56 A, 25 mW  
HUF75639G3, HUF75639P3,  
HUF75639S3S, HUF75639S3  
These N−Channel power MOSFETs are manufactured using the  
innovative Ultrafet process. This advanced process technology  
achieves the lowest possible on− resistance per silicon area, resulting  
in outstanding performance. This device is capable of withstanding  
high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low  
reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in  
applications where power efficiency is important, such as switching  
regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers,  
low−voltage bus switches, and power management in portable and  
battery− operated products.  
TO−247−3LD  
CASE 340CK  
TO−220−3LD  
CASE 340AT  
D2PAK−3  
CASE 418AJ  
I2PAK  
CASE 418AV  
Formerly developmental type TA75639.  
MARKING DIAGRAMS  
Features  
• 56 A, 100 V  
• Simulation Models  
®
♦ Temperature Compensated PSPICE and SABER™ Electrical  
$Y&Z&3&K  
75639G  
$Y&Z&3&K  
75639P  
Models  
♦ Spice and Saber Thermal Impedance Models  
♦ www.onsemi.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
$Y&Z&3&K  
75639S  
$Y&Z&3&K  
75639S  
• Related Literature  
♦ TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to  
PC Boards”  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
&Y  
= onsemi Logo  
&Z  
&3  
&K  
75639x  
x
= Assembly Plant Code  
= 3−Digit Date Code  
= 2−Digit Lot Traceability Code  
= Specific Device Code  
= G/P/S  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 5  
HUF75639G3/D  
1234567...15

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HUF75639P3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUF75639P3 INTERSIL

功能相似

 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

与HUF75639P3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75639P3_NL ROCHESTER

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 		56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
HUF75639P3_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
HUF75639P3-F102 ONSEMI

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 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ
HUF75639S3 FAIRCHILD

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 		56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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HUF75639S3R4851 FAIRCHILD

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 		56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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