IXFH80N10Q

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	55K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH80N10Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH80N10Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 80N10Q V_DSS

= 100 V

= 80 A

IXFT 80N10Q

I_D25

R_DS(on)= 15 mW

t_rr£ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dV/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary data

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

320

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (IXFT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

360

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

M_d

Mountingtorque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

• IXYS advanced low gate charge

process

• Internationalstandardpackages

• Low gate charge and capacitance

- easier to drive

Weight

TO-247AD

TO-268

- faster switching

• Low R_{DS (on)}

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

100

2.0

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

15 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98592B(7/00)

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IXFH80N10Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP150PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
STW120NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET
HUF75652G3	FAIRCHILD	功能相似	75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH80N15Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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IXFH80N20Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFH80N65X2-4	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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