IXFH8N80

更新时间： 2024-02-03 22:02:05

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	204K
描述
HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family

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IXFH8N80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	180 W
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	210 ns
Base Number Matches：	1

IXFH8N80 数据手册

PreliminaryDataSheet

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

HiPerFET^TM

IXFH8N80 800V

IXFH9N80 800V

1.1Ω

0.9Ω

250 ns

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 SMD*

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

8N80

9N80

8N80

9N80

8N80

9N80

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

D (TAB)

G = Gate

= Drain

E_AR

T_C= 25°C

S = Source

TAB = Drain

*Add suffix letter "S" for surface mountable

package

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

180

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

• International standard packages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ.

max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

800

V_DSStemperature coefficient

0.088

%/K

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

4.5

V_GS(th)temperature coefficient

-0.257

%/K

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 µA

Advantages

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

• Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle δ ≤ 2%

8N80

9N80

1.1

0.9

Ω

• High power density

96527A (8/97)

12 3 4

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与IXFH8N80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH8N80S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-247SMD
IXFH90N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS
IXFH90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH90N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH90N65X3	LITTELFUSE	获取价格	这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。这些产品的额定标称电流为90A，
IXFH94N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFH94N30P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH94N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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