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IXFI7N80P

更新时间： 2024-02-11 06:22:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	135K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263, 3 PIN

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IXFI7N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.44 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFI7N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFA 7N80P

IXFI 7N80P

IXFP 7N80P

V_DSS= 800

I_D25

R_DS(on)≤ 1.44

t_rr

≤ 250 ns

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXFA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

800

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

Leaded TO-263 (IXFI)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

300

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

(TAB)

T_C= 25°C

200

TO-220 (IXFP)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

(TAB)

M_d

Mounting torque (TO-220, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

2.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

3.0

5.0

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

μA

Easy to mount

Space savings

High power density

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

1.44

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99597E(08/06)

12 3 4

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IXFI7N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AOTF8N80	AOS	功能相似	800V, 7.4A N-Channel MOSFET
AOK8N80	AOS	功能相似	800V,7.4A N-Channel MOSFET

与IXFI7N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFJ13N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFJ20N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFJ26N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFJ32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFJ36N30	IXYS	获取价格	HiPerFET
IXFJ40N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFJ80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFK100N10	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK100N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK100N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

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