Datasheet > IXFK120N25P

IXFK120N25P

更新时间： 2024-10-01 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	173K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK120N25P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK120N25P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 250V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 24mΩ

IXFK120N25P

IXFX120N25P

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrisic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

PLUS247 (IXFX)

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

(TAB)

700

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Diode

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120/4.5..27

N/lb.

Nm/lb.in.

1.13/10

^zAvalanche Rated

Weight

PLUS247

TO-264

^zLow Package Inductance

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

±200 nA

I_DSS

25 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

24 mΩ

DS99379F(5/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFK120N25P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK120N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFK140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFK140N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK140N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK140N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK140N30P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK140N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK14N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IXFK120N25P相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

30
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK120N25P

IXFK120N25P 技术参数

IXFK120N25P 数据手册

与IXFK120N25P相关器件

与IXFK120N25P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK120N25P

IXFK120N25P 技术参数

IXFK120N25P 数据手册

与IXFK120N25P相关器件

与IXFK120N25P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？