Datasheet > IXFJ26N50P3

IXFJ26N50P3

更新时间： 2024-09-30 14:56:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	190K
描述
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。其高质量因数(FOM)是Qg的倍数，并在RDS(on)中可替

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFJ26N50P3 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

PowerMOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 14A

R_DS(on) 295m

IXFJ26N50P3

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISO TO-247^TM

Fast Intrinsic Rectifier

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Isolated Tab

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

500

V_DGR

G = Gate

= Drain

S = Source

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

180

^Isolated Mounting Surface

^2500V~ Electrical Isolation

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

T_J

-55 ... +150

150



C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^Low R_DS(ON)and Q_G

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^Low Package Inductance

F_C

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RM, t = 1min

2500

Weight

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

^DC-DC Converters

^Laser Drivers

          100 nA

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

I_DSS

25 A

750 A

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 13A, Note 1

295 m

DS100603C(12/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFJ26N50P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFJ32N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFJ36N30	IXYS	获取价格	HiPerFET
IXFJ40N30	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFJ80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFK100N10	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK100N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK100N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK100N25	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK100N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFK102N30P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET