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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 200K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.36 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 500 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 560 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK100N25 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK100N25 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK100N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFK102N30P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK102N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK105N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK110N06 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK110N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK110N07 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFK110N20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-264AA |
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