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IXFK110N07

更新时间： 2024-01-07 19:20:43

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK110N07 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	70 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A
最大漏极电流 (ID)：	110 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	500 W	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK110N07 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFK 110 N06

IXFK 105 N07

IXFK 110 N07

60V 110 A 6 mW

70V 105 A 7 mW

70V 110 A 6 mW

t_rr£ 250 ns

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

TO-264 AA (IXFK)

T_J= 25°C to 150°C

N07

N06

N07

N06

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D130

I_DM

T_C= 25°C, die capability

110

600

100

T_C= 130°C, limited by external leads

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I , di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

V/ns

T_J£ ^D1^M50°C, R_G= 2 W

Features

P_D

T_C= 25°C

500

• Internationalstandardpackages

• JEDECTO-264 AA,epoxymeet

UL94V-0,flammabilityclassification

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

0.9/6

Nm/lb.in.

Applications

Weight

Symbol

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS

= 0 V, I_D= 1 mA

N06

N07

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

V_{GS (th)}

I_GSS

V_DS

V_GS

= V_GS, I_D= 8 mA

= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

400 mA

Advantages

I_DSS

V_DS

V_GS

= 0.8 • V_DSS

= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS

Note 2

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

110N06/110N07

105N07

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92802I(10/97)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK110N20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 110A I(D) \| TO-264AA
IXFK120N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK120N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK120N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFK120N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK120N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
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IXFK120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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