是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-264 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (ID): | 150 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0125 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-264 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 600 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTK150N15P | IXYS |
类似代替 |
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXFK150N15P | IXYS |
类似代替 |
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET | |
IXTQ150N15P | IXYS |
功能相似 |
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFK150N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK150N30P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFK150N30P3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFK150N30X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFK150N30X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFK15N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFK160N30T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET | |
IXFK160N30T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFK16N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFK170N10 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |