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IXFK150N15

更新时间： 2024-11-17 22:11:55

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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK150N15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	150 A	最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK150N15 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFK 150N15

IXFX 150N15

V_DSS= 150 V

I_D25= 150 A

R_DS(on)= 12.5 mW

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

PLUS247^TM

(IXFX)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

150

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

150

600

150

TO-264 AA (IXFK)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• Fastintrinsicrectifier

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• ACmotorcontrol

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

150

2.0

• Temperatureandlightingcontrols

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

12.5 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98654(9/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK150N15P	IXYS	类似代替	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFK150N15P	IXYS	类似代替	PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET
IXTQ150N15P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK150N15P	IXYS	获取价格	PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET
IXFK150N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK150N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK150N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK150N30X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK15N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK160N30T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK160N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK16N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
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