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IXFK180N07

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	162K
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IXFK180N07 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXFK180N07 数据手册

HiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 70V

I_D25= 180A

R_DS(on)≤ 6mΩ

IXFK180N07

IXFX180N07

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS247 (IXFX)

I_D25

T_C= 25°C (Chip Capability)

External Lead Current Limit

180

160

720

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab

I_A

E_AS

T_C= 25°C

180

G = Gate

= Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

S = Source

Tab = Drain

568

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

International Standard Packages

Avalanche Rated

Low Intrinsic Gate Resistance

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

Low R_DS(on)and Q_G

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.0

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

±200 nA

I_DSS

25 μA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

T_J= 125°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

6 mΩ

DS98556D(10/12)

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