是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-264AA |
包装说明: | TO-264, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 8.34 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (ID): | 150 A | 最大漏源导通电阻: | 0.013 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-264AA |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 340 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTQ150N15P | IXYS |
完全替代 |
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXFH150N15P | IXYS |
完全替代 |
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET | |
IXFK150N15 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTK160N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTK160N20 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 200V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTK170N10P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTK170P10P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,相比传统产品将通态电阻( | |
IXTK17N120L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTK180N15 | IXYS |
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High Current MegaMOSTMFET | |
IXTK180N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTK180N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTK200N10L2 | IXYS |
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Linear L2 Power MOSFET w/ Extended FBSOA | |
IXTK200N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 |