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IXTK180N15P

更新时间： 2024-02-29 03:56:44

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描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTK180N15P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.95	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	800 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	380 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXTK180N15P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150 V

I_D25= 180 A

IXTK 180N15P

R_DS(on)≤ 10 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 (IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

100

V_DSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

T_C=25° C

180

(TAB)

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

380

I_AR

T_C=25° C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

E_AR

E_AS

T_C=25° C

100

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

Features

T_C=25° C

800

International standard package

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Characteristic Values

Advantages

Weight

Easy to mount

Space savings

Symbol

Test Conditions

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 500µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

2.5

5.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 150° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

10 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99297E(12/05)

12 3 4 5

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