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IXTK250N10

更新时间： 2024-11-17 22:11:03

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2页	71K
描述
High Current MegaMOSFET

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IXTK250N10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.65
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	250 A	最大漏源导通电阻：	0.005 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTK250N10 数据手册

Advance Technical Information

IXTK 250N10

V_DSS= 100 V

High Current

MegaMOS^TMFET

I_D25

= 250 A

R_DS(on)

= 5 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

Testconditions

Maximum ratings

TO-264AA(IXTK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C MOSFET chip capability

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

250

1000

I_AR

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

4.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

730

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Rugged polysilicon gate cell structure

•International standard package

•Fast switching times

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

0.7/6

°C

Nm/lb.in.

M_d

Weight

TO-264

Applications

•Motor controls

•DC choppers

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

•Switched-mode power supplies

•DC-DC Converters

•Linear Regulators

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

100

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

2.0

4.0

•Easy to mount with one screw

(isolated mounting screw hole)

•Space savings

±200 nA

•High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

50 µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 90 A

5 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%

DS99022(03/03)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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