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IXTK80N30L2

更新时间： 2024-11-05 21:16:55

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	223K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTK80N30L2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTK80N30L2 数据手册

Advance Technical Information

LinearL2^TM

Power MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 300V

I_D25= 80A

R_DS(on) 38m

IXTK80N30L2

IXTX80N30L2

_OD

R_Gi

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

300

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Tab

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

PLUS247 (IXTX)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

T_C= 25C

E_AS

Tab

P_D

T_C= 25C

960

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in

N/lb

20..120 /4.5..27

Weight

TO-264

PLUS247

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

2.5

4.5

^Linear Amplifiers

200 nA

^Programmable Loads

^Current Regulators

I_DSS

10 A

T_J= 125C

250 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

38 m

DS100883A(1/18)

12 3 4 5 6

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