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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTK33N50 | IXYS |
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High Current MegaMOSFET |
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| IXTK33N50 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTK3N250L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTK400N15X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK40P50P | IXYS |
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P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTK40P50P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTK46N50L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTK46N50L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTK550N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTK550N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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