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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 210K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXTK5N250 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 2500V, 8.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IXTK5N250 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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IXTK600N04T2 | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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IXTK600N04T2 | LITTELFUSE | 这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
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IXTK60N50L2 | IXYS | LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA |
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IXTK60N50L2 | LITTELFUSE | 这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 |
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