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IXTK46N50L

更新时间： 2024-11-18 21:17:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

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IXTK46N50L 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	TO-264AA, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A	最大漏极电流 (ID)：	46 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTK46N50L 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTK46N50L

IXTX46N50L

V_DSS= 500 V

I_D25= 46 A

Linear Power MOSFET

With Extended FBSOA

N-Channel Enhancement Mode

R_DS(on)≤ 0.16

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_DGR

V_GS

Continuous

Transient

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

100

PLUS247 (IXTX)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

P_D

T_C= 25°C

700

TAB

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

F_c

Mounting torque

Mounting force

(TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

(PLUS247^TM)

20...120/4.5...27

N/lb.

^zDesigned for linear operation

^zInternational standard package

^zUnclamped Inductive switching (UIS)

Weight

Symbol

PLUS247

TO-264

rated

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

Min.

Typ.

Max.

^zProgrammable loads

^zCurrent regulators

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

^zDC choppers

^zTemperature and lighting controls

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

500

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

200

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

μA

R_DS(on)

V_GS= 20 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

0.16

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

DS99350A(03/07)

12 3 4 5

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IXTK46N50L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT42N50P2	IXYS	功能相似	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFH42N50P2	IXYS	功能相似	PolarP2 HiperFET Power MOSFET

与IXTK46N50L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTK550N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTK550N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTK5N250	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 2500V, 8.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTK5N250	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTK600N04T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTK600N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTK60N50L2	IXYS	获取价格	LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA
IXTK60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTK62N25	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSFET
IXTK74N20	IXYS	获取价格	High Current MegaMOSFET

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