IXFH42N50P2

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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IXFH42N50P2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	3.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42 A
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	830 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	126 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH42N50P2 数据手册

Advance Technical Information

PolarP2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 42A

R_DS(on)≤ 145mΩ

IXFH42N50P2

IXFT42N50P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_DGR

TO-268 (IXFT)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

126

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

1.4

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

830

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSpace Savings

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

±100 nA

I_DSS

10 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

1 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

145 mΩ

DS100255(03/10)

12 3 4

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IXFH42N50P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT42N50P2	IXYS	完全替代	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXTK46N50L	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXFH42N50P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH42N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFH42N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH42N65X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH44N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH44N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
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IXFH450	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH46N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH46N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁

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