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IXFH46N60X2A

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关二极管
页数	文件大小	规格书
6页	773K
描述
MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁干扰(EMI)，尤其是在半桥或全桥开关拓扑中。凭借较低的反向恢复电荷和时间，体二极管能够用于确保在高速开

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IXFH46N60X2A 数据手册

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 46A

IXFH46N60X2A

R_DS(on) 69m

AEC Q101 Qualified

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

D = Drain

T_J= 25C to 150C

600

G = Gate

S = Source

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

Tab = Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

100

I_A

T_C= 25C

Features

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



660

T_J

-55 ... +150

150

C

Low Package Inductance

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600



3.5

5.5



100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

2 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

69 m

DS100915B(4/23)

12 3 4 5 6

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