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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 172K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 优点: 应用: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1700 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 44 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH44N50Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFH44N50Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFH450 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH46N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFH46N60X2A | LITTELFUSE |
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MOSFET的本征快速体二极管HiPerFET展现出极强的软恢复特征，可最大限度地减少电磁 |
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| IXFH46N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFH46N65X3 | LITTELFUSE |
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这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。 这些产品的额定标称电流为46A， |
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| IXFH48N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH48N60X3 | LITTELFUSE |
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600V X3-Class超级结MOSFET IXFH48N60X3的标称额定电流为48A |
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| IXFH4N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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