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IXFH42N50P2

更新时间: 2024-02-15 01:09:06
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IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
PolarP2 HiperFET Power MOSFET

IXFH42N50P2 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-247包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:3.73Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):1400 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):42 A
最大漏极电流 (ID):42 A最大漏源导通电阻:0.145 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):830 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):126 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFH42N50P2 数据手册

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IXFH42N50P2  
IXFT42N50P2  
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
VGS = 10V  
8V  
VGS = 10V  
7V  
7V  
6V  
5V  
6V  
5V  
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
150  
150  
VDS - Volts  
VDS - Volts  
Fig. 4. RDS(on) Normalized to ID = 21A Value vs.  
Junction Temperature  
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125ºC  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
3.2  
2.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
VGS = 10V  
7V  
VGS = 10V  
6V  
I D = 42A  
I D = 21A  
5V  
4V  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
VDS - Volts  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 5. RDS(on) Normalized to ID = 21A Value vs.  
Drain Current  
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.  
Case Temperature  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
3.6  
3.2  
2.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
VGS = 10V  
TJ = 125ºC  
TJ = 25ºC  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
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100  
-50  
-25  
0
25  
50  
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100  
125  
ID - Amperes  
TC - Degrees Centigrade  
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