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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFH42N50P2
IXFH42N50P2 PDF预览

IXFH42N50P2

更新时间： 2024-02-21 18:41:37
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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IXFH42N50P2 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：3.73Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1400 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.145 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：830 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：126 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXFH42N50P2 数据手册

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IXFH42N50P2  
IXFT42N50P2  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
TO-247 Outline  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfs  
VDS = 20V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz  
23  
36  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
5300  
555  
43  
pF  
pF  
pF  
∅ P  
1
2
3
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
23  
12  
42  
9
ns  
ns  
ns  
ns  
Resistive Switching Times  
VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
RG = 3Ω (External)  
e
Terminals: 1 - Gate  
2 - Drain  
3 - Source  
Qg(on)  
Qgs  
92  
26  
36  
nC  
nC  
nC  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
Min. Max.  
VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
Qgd  
A
A1  
A2  
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185 .209  
.087 .102  
.059 .098  
RthJC  
RthCS  
0.15 °C/W  
°C/W  
b
b1  
b2  
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040 .055  
.065 .084  
.113 .123  
0.21  
C
D
E
.4  
.8  
.016 .031  
.819 .845  
.610 .640  
20.80 21.46  
15.75 16.26  
Source-Drain Diode  
e
5.20  
5.72 0.205 0.225  
L
L1  
19.81 20.32  
4.50  
.780 .800  
.177  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
∅P 3.55  
3.65  
.140 .144  
Q
5.89  
6.40 0.232 0.252  
IS  
VGS = 0V  
42  
A
A
V
R
S
4.32  
6.15 BSC  
5.49  
.170 .216  
242 BSC  
ISM  
VSD  
Repetitive, Pulse Width Limited by TJM  
IF = IS, VGS = 0V, Note 1  
168  
1.3  
TO-268 Outline  
trr  
250  
ns  
A
IF = 21A, -di/dt = 100A/μs  
IRM  
QRM  
12  
1.05  
VR = 85V, VGS = 0V  
μC  
Note  
1. Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.  
Terminals: 1 - Gate  
3 - Source  
2 - Drain  
4 - Drain  
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived  
from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experience, and constitute a  
"considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right to change limits, test  
conditions, and dimensions without notice.  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered  
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
4,835,592 4,931,844  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,534,343  
6,583,505  
6,727,585  
6,710,405 B2 6,759,692  
6,710,463  
7,005,734 B2 7,157,338B2  
7,063,975 B2  
6,771,478 B2 7,071,537  
1234

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IXFH42N50P2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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