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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH50N30Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFH50N50P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH50N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH50N60P3 | IXYS |
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Polar3 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH50N60P3 | LITTELFUSE |
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PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFH50N60X | LITTELFUSE |
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暂无描述 |
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| IXFH50N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH50N80XA | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH50N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFH52N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 52A I(D) | TO-247AD |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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