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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 300 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXFH50N30Q3 | IXYS | HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFH50N50P3 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH50N50P3 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH50N60P3 | IXYS | Polar3 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH50N60P3 | LITTELFUSE | PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFH50N60X | LITTELFUSE | 暂无描述 |
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