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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 3.99 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 58 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 58 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 232 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STW40NF20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO |
|
| STW75NF20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 200V - 0.028ヘ - 75A - D2PAK - TO-22 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH58N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH58N20Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH58N20S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |
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| IXFH5N100 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH5N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFH5N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH60N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFH60N20F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRFTM Power MOSFETs |
|
| IXFH60N20F_08 | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFH60N25Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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