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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 4.55 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDH44N50 | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO- |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH6N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH6N120 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH6N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH6N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH6N90 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH70N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
|
| IXFH70N20Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
|
| IXFH70N30Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
|
| IXFH70N30Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
|
| IXFH72N30X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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