Datasheet > IXFH75N10Q

IXFH75N10Q PDF预览

IXFH75N10Q

更新时间： 2025-09-17 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
3页	237K
描述
功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH75N10Q 数据手册

浏览型号IXFH75N10Q的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFH75N10Q的Datasheet PDF文件第3页

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 75N10Q

IXFT 75N10Q

V_DSS

I_D25

= 100 V

= 75 A

R_DS(on)= 20 mW

t_rr£ 200ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

100

100

V

V

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

75

300

75

A

A

A

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (IXFT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

30

mJ

J

1.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

,

5

V/ns

G

(TAB)

S

P_D

T_C= 25°C

300

W

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

S = Source

TAB = Drain

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

^lIXYS advanced low gate charge

process

^lInternational standard packages

^lLow gate charge and capacitance

- easier to drive

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247AD

TO-268

6

4

g

g

- faster switching

^lLow R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

^lUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

100

V

V

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

2.0

4

±100

nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25

1

µA

mA

l

Easy to mount

Space savings

l

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

20 m Ω

l

High power density

© 1999 IXYS All rights reserved

98550A (6/99)

12 3

中文翻译

下载PDF

与IXFH75N10Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH76N06	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH76N06	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH76N06-11	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH76N06-12	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH76N07-11	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH76N07-11	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH76N07-12	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH76N07-12	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH76N15T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH76N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

与IXFH75N10Q相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证