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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | TO-247AD, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 76 A | 最大漏极电流 (ID)： | 76 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 304 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH76N07-11 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH76N07-11 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH76N07-12 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH76N07-12 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH76N15T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXFH76N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFH78N60X3 | LITTELFUSE |
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600V X3-Class超级结MOSFET IXFH78N60X3的标称额定电流为78A |
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| IXFH7N100P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFH7N100P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXFH7N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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